你了(le)解單晶(jing)爐嗎？單(dan)晶爐在(zai)制作工(gong)藝上的(de)拉制方(fāng)法具體(ti)該怎麽(me)做呢？

第(di)一種：區(qū)熔法

區(qū)熔法的(de)操作工(gōng)藝就是(shì)爲了避(bì)免熔體(ti)與坩埚(guō)間的化(huà)學反應(ying)造成的(de)污染，而(er)發展起(qi)來的無(wú)增埚晶(jīng)體生長(zhǎng)工藝。

這(zhe)種方法(fǎ)隻适用(yong)于熔體(tǐ)表面張(zhāng)力系數(shu)大的晶(jīng)體生長(zhǎng)。垂直安(ān)裝一根(gēn)多晶體(ti)棒，用水(shuǐ)冷射頻(pin)感，使應(ying)加熱使(shi)棒的一(yī)端熔化(huà)。依靠熔(rong)體的表(biao)面張力(li)和電場(chǎng)産生的(de)懸浮力(li)，使熔體(tǐ)與晶棒(bang)粘附在(zài)一起。把(bǎ)一根經(jīng)過定向(xiang)處理的(de)籽晶端(duān)部侵入(rù)熔體，利(li)用加熱(rè)器與晶(jing)體熔體(ti)的相對(duì)運動使(shǐ)多晶棒(bàng)不斷地(dì)熔化，而(ér)另一側(ce)逐漸生(sheng)成晶體(ti)。這種方(fāng)法會讓(rang)生長的(de)晶體不(bú)會受坩(gān)埚的污(wu)染。

第二(er)種：直拉(la)法

直拉(lā)法又稱(chēng)“恰克拉(lā)斯基法(fǎ)”（Czochralski）法，簡稱(cheng)CZ法。是生(sheng)長單晶(jīng)矽的主(zhǔ)要方法(fa)。該法是(shi)在直拉(la)法(CZ)單晶(jing)爐内，将(jiang)原料（多(duō)晶矽）裝(zhuang)在一個(ge)坩埚中(zhōng)使其加(jiā)熱至熔(róng)融狀，向(xiang)熔矽中(zhong)引入籽(zǐ)晶，籽晶(jīng)夾在提(ti)拉杆的(de)下端，控(kòng)制溫度(du)合适。當(dang)籽晶和(he)熔矽達(da)到平衡(heng)時，熔液(yè)會靠着(zhe)表面張(zhang)力的支(zhī)撐吸附(fù)在籽晶(jīng)的下方(fāng)。此時邊(biān)旋轉邊(bian)提拉籽(zi)晶，這些(xie)被吸附(fù)的熔體(tǐ)也會随(suí)着籽晶(jing)往上運(yùn)動。向上(shàng)運動的(de)過程中(zhōng)熔體溫(wēn)度下降(jiàng)，将使得(dé)熔體凝(níng)結成晶(jīng)且随着(zhe)籽晶方(fang)向生長(zhang)成單晶(jīng)棒。

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