單晶爐在使(shǐ)用前一定要認(ren)真的閱讀操作(zuò)規程，以免發生(sheng)意外和導緻設(she)備的損壞。

1、清爐(lu)、裝爐：清洗整個(gè)爐室内壁及加(jiā)熱線圈、反射器(qi)、晶體夾持器、上(shàng)軸、下軸，調整加(jia)熱線圈和反射(she)器的水平及與(yu)上軸、下軸的對(duì)中；将多晶料夾(jia)具固定到多晶(jīng)料尾部的刻槽(cáo)處，然後将其安(ān)裝到上軸末端(duan)，進行多晶料的(de)對中；将籽晶裝(zhuang)入籽晶夾頭上(shang)，然後将其安裝(zhuāng)到下軸頂端；關(guān)閉各個爐門，擰(ning)緊各緊固螺栓(shuān)； 

2、抽空、充氣，預熱(re)：打開真空泵及(jí)抽氣管道閥門(mén)，對爐室進行抽(chou)真空，真空度達(da)到所要求值時(shí)，關閉抽氣管道(dào)閥門及真空泵(bèng)，向爐膛内快速(sù)充入氩氣；當充(chong)氣壓力達到相(xiàng)對壓力 1bar-6bar時，停止(zhǐ)快速充氣，改用(yòng)慢速充氣，同時(shi)打開排氣閥門(mén)進行流氩；充氣(qi)完畢後，對多晶(jīng)矽棒料進行預(yù)熱，預熱使用石(shí)墨預熱環，使用(yòng)電流檔，預熱設(shè)定點25-40％，預熱時間(jian)爲12-14分鍾； 

3、化料、引(yin)晶：預熱結束後(hòu)，進行化料，化料(liào)時轉入電壓檔(dàng)，發生器設定點(diǎn)在40-60％；多晶料熔化(huà)後，将籽晶與熔(rong)矽進行熔接，熔(róng)接後對熔區進(jin)行整形，引晶； 

4、生(sheng)長細頸：引晶結(jie)束後，進行細頸(jing)的生長，細頸的(de)直徑在2-6mm，長度在(zài)30-60mm； 

5、擴肩及氮氣的(de)充入：細頸生長(zhǎng)結束後，進行擴(kuò)肩，緩慢減少下(xià)速至3±2mm/min，同時随着(zhe)擴肩直徑的增(zeng)大不斷減少下(xià)轉至8±4rpm，另外還要(yào)緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；爲了防止高(gao)壓電離，在氩氣(qì)保護氣氛中充(chōng)入一定比例的(de)氮氣，氮氣的摻(chān)入比例相對于(yu)氩氣的 0.01％-5％；

6、轉肩、保(bao)持及夾持器釋(shi)放：在擴肩直徑(jing)與單晶保持直(zhí)徑相差3-20mm時，擴肩(jiān)的速度要放慢(màn)一些，進行轉肩(jiān)，直至達到所需(xū)直徑，單晶保持(chi)，等徑保持直徑(jìng)在75mm-220mm，單晶生長速(su)度1mm/分-5mm/分，在擴肩(jiān)過程中，當單晶(jīng)的肩部單晶持(chí)器的銷子的距(ju)離小于2mm時釋放(fang)夾持器，将單晶(jing)夾住；

7、收尾、停爐(lú)：當單晶拉至尾(wěi)部，開始進行收(shōu)尾，收尾到單晶(jīng)的直徑達到Φ10-80mm，将(jiang)熔區拉開，這時(shí)使下軸繼續向(xiàng)下運動，上軸改(gai)向上運動，同時(shí)功率保持在40±10％，對(dui)晶體進行緩慢(man)降溫。